香港九龙图库微電子所銦鎵砷MOS翻滾還禮FET射頻

文章来源:文迪 时间:2018-12-26

  微電子所銦鎵砷MOS翻滾還禮FET射頻開關芯片研究獲進展

 

  近日,微電子研讨所科研结果——銦鎵砷(InGaAs)MOSFET射頻開關芯片被國際半導體雜志Semiconductor Today 進行瞭專題報道 。

  高遷移率InGaAs MOSFET是在InGaAs HEMT器件的基礎上引入高K介質金屬柵技術發展起來的新一代半導體器件,被國際學術界和半導體產業界認為是延展摩爾定律至5納米節點的次要技術選擇。微電子所高頻高壓器件與集成研發中心研讨員劉洪剛課題組長期努力於InGaAs MOSFET器件及其應用研讨,在國傢科技严重專項、“973”計劃、國傢自然科學基金等多項國傢級課題的撑腰下,先後在量子阱溝道設計、高K介質與界面態操纵、關鍵工藝與矽基異質集成、器件模型與電路模擬等方面获得重要進展,相關结果已胜利應用於面向4G/5G移動通讯的射頻開關芯片的研讨。課題組研制的InGaAs MOSFET射頻開關芯片,在移動通讯頻段表現出優越的射頻開關特性,在0.1-3GHz無線通讯頻段內拔出損耗為0.27-0.49dB,隔離度達到35-68dB,比傳統InGaAs HEMT射頻開關具有更高的射頻輸出功率和功率附加效率。該特性使InGaAs MOSFET技術在5G智能手機與高速WiFi中具有廣闊的應用前景 。

   報道鏈接

  

  

射頻開關器件战争面圖與單管剖面圖